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小白科普：芯片漏电定位方法

原创  仪准科技 王福成

文章为多年工作经验总结，供大▃家交流参考，若转载请写明出处。

芯片漏电是失效分析案例中常见的，找到漏电位置是查明失效原因的前提，液晶漏电定位、EMMI（CCDInGaAs）、激光♂诱导等手段是工程人员经常采用的手段。多年来，在中国半导体产业有ξ个误区，认为激光诱导手段就是OBIRCH。今日小编为大家ζ　科普一下激光诱导（laser scan Microscope).

     目前激光诱导功能在业内普遍被采用的有三种方法，这三种方法分别被申请了专#利（日本OBIRCH、美国TIVA、##加坡VBA）。国内大多数人认为只有OBIRCH才是激光诱导，其实TIVA和VBA和OBIRCH是『同等的技术。三种技术都是利ξ　用激光扫描芯片表面的情况下，侦测出哪个位置的阻抗有较明显变化，这个位置就可能是漏电位置。侦测阻抗变化就是用电压和电流来反映，下面是三个技术原理：

                  1、OBIRCH和TIVA

如上︼图是一个器件的漏电回路，R1代表漏电点的阻抗，I1代表回路电流，V代︽表回路上的电压。

OBIRCH；给器件回路加上一个电压V，然后让激光在芯片表面进行扫描》，同时监测回路电流I1的变化.

TIVA：给器件回路加上一个微小电流I1，然后让激光在芯片表面进行扫描，同时监测回路〓电压V的变化.

2、VBA技术

如上图是一个器件的〓漏电回路，R1代表漏电点的阻抗，I1代表回路电流，V1代表回路上的电压，R2是串联在回路中的一个负载，V2是R2两端←的电压。

OBIRCH；给器件回路加上一个电压V1，然后让激光在芯片表面进行扫描，同时监测V2的变化(V2/R2=I1，其实也是◣监测I1的变化），这样大家◣可以看出来了，VBA其实就是OBIRCH，只是合理回避了NEC专#利。